Goux L.
13
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2013 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 2 |
| Ingeniería electrónica | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 2 |
| Electricidad y electrónica | 2 |
| Magnetismo | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 1 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Simoen E. | 2 |
| Luis Miguel Prócel Moya | 2 |
| Trojman L. | 2 |
| Crupi F. | 2 |
| Maccaronio V. | 2 |
| Miranda E. | 1 |
| J. Moreno | 1 |
| Degraeve R. | 1 |
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Publicaciones del autor
DC and low-frequency noise behavior of the conductive filament in bipolar HfO<inf>2</inf>-based resistive random access memory
ArticleAbstract: This paper addresses the low frequency noise (LFN) properties of bipolar HfO2-based resistive randomPalabras claves:Hafnium oxide, Low-frequency noise, Non-volatile memory, Quantum point contact, Resistive RAMAutores:Crupi F., Goux L., Luis Miguel Prócel Moya, Maccaronio V., Miranda E., Simoen E., Trojman L.Fuentes:googlescopusExperimental evidence of the quantum point contact theory in the conduction mechanism of bipolar HfO<inf>2</inf>-based resistive random access memories
ArticleAbstract: The quantum point contact (QPC) model for dielectric breakdown is used to explain the electron transPalabras claves:Autores:Crupi F., Degraeve R., Goux L., J. Moreno, Luis Miguel Prócel Moya, Maccaronio V., Simoen E., Trojman L.Fuentes:scopus