Documentos de Velazquez-Perez J.E. | REDI

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Publisher: "Optics Letters"

Subtipo de publicación

Área temáticas

Física aplicada(1)

Área de conocimiento

Ingeniería electrónica(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 17: Alianzas para lograr los objetivos(1)

ODS 3: Salud y bienestar(1)

ODS 9: Industria, innovación e infraestructura(1)

Año de Publicación

Origen

Responsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect

Abstract: We report on the enhancement of responsivity by more than one order of magnitude of a silicon-based

Palabras claves:

Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Minin I.V., Minin O.V., Salvador-Sánchez J., Velazquez-Perez J.E.