Berrada S.
8
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
Cargando gráfico
| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2015 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
Cargando gráfico
| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 2 |
| Ciencia de materiales | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
Cargando gráfico
| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 2 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
Cargando gráfico
Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Cavassilas N. | 2 |
| Laurent Raymond | 2 |
| Lannoo M. | 2 |
| Bescond M. | 2 |
Cargando gráfico
Top Keywords
Cargando gráfico
Publicaciones del autor
Carrier injection engineering in nanowire transistors via dopant and shape monitoring of the access regions
ArticleAbstract: This work theoretically studies the influence of both the geometry and the discrete nature of dopantPalabras claves:Autores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopusThe impact of lead geometry and discrete doping on NWFET operation
Conference ObjectAbstract: This work investigates the influence of discrete dopant positions and lead geometry on the contact rPalabras claves:Dielectrics, Doping, Geometry, Impurities, Logic gates, Semiconductor process modeling, siliconAutores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopus