Reggiani S.
17
Coauthors
3
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2019 | 2 |
2020 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería electrónica | 2 |
Ciencia de materiales | 2 |
Semiconductor | 2 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 3 |
Ingeniería y operaciones afines | 1 |
Otras ramas de la ingeniería | 1 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 3 |
Google Scholar | 0 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Sánchez Luis | 3 |
Crupi F. | 3 |
Meneghesso G. | 2 |
Consentino G. | 2 |
Eliana Acurio | 1 |
Tallarico A.N. | 1 |
Cornigli D. | 1 |
Fiegna C. | 1 |
Valdivieso C. | 1 |
Sangiorgi E. | 1 |
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Publicaciones del autor
BTI saturation and universal relaxation in SiC power MOSFETs
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Conference ObjectAbstract: Charge trapping and de-trapping phenomena in SiC power MOSFETs were investigated by performing two dPalabras claves:Autores:Consentino G., Crupi F., Esteban Guevara, Meneghesso G., Reggiani S., Sánchez LuisFuentes:scopusCharacterization and Modeling of BTI in SiC MOSFETs
Conference ObjectAbstract: SiC power MOSFETs have been investigated by performing two different kinds of measurements, the hystPalabras claves:Autores:Consentino G., Cornigli D., Crupi F., Fiegna C., Reggiani S., Sánchez Luis, Sangiorgi E., Tallarico A.N., Valdivieso C.Fuentes:scopus