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Palabras Claves: "PBTI"

Subtipo de publicación

Publisher

Microelectronics Reliability(1)

Área temáticas

Física aplicada(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 7: Energía asequible y no contaminante(1)

ODS 8: Trabajo decente y crecimiento económico(1)

ODS 9: Industria, innovación e infraestructura(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Universal relaxation(1)

Zafar's model(1)

BTI saturation and universal relaxation in SiC power MOSFETs

Abstract: This work focuses on the positive bias temperature instability of SiC-based MOSFETs under different

Palabras claves:

de-trapping, PBTI, recovery, SiC, TRAPPING, Universal relaxation, Zafar's model

Crupi F., Eliana Acurio, Meneghesso G., Reggiani S., Sánchez Luis