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Palabras Claves: "III-V"

Subtipo de publicación

Article(2)

Publisher

IEEE Transactions on Electron Devices(1)
Solid-State Electronics(1)

Área temáticas

Física aplicada(2)

Área de conocimiento

Ingeniería electrónica(2)

Año de Publicación

2016(1)
2017(1)

Origen

scopus(2)

Palabras Claves

Full adders(1)
Ripple carry adders(1)
TFET(1)
full-Adder(1)
tunnel field effect transistor (TFET)(1)
  • Assessment of InAs/AlGaSb Tunnel-FET Virtual Technology Platform for Low-Power Digital Circuits

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    Article
    Abstract: In this work, a complementary InAs/Al0.05Ga0.95Sb tunnel field-effect-Transistor (TFET) virtual tech
    Palabras claves:
    full-Adder, III-V, tunnel field effect transistor (TFET), very large scale integration (VLSI).
    Autores:
    Crupi F., Esseni D., Marco Lanuzza, Palestri P., Selmi L., Strangio S.
    Fuentes:
    scopus
  • Benchmarks of a III-V TFET technology platform against the 10-nm CMOS FinFET technology node considering basic arithmetic circuits

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    Article
    Abstract: In this work, a benchmark for low-power digital applications of a III-V TFET technology platform aga
    Palabras claves:
    Full adders, III-V, Ripple carry adders, TFET
    Autores:
    Crupi F., Esseni D., Marco Lanuzza, Palestri P., Selmi L., Strangio S.
    Fuentes:
    scopus
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