Magnone P.
34
Coauthors
6
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2013 | 1 |
| 2014 | 1 |
| 2016 | 1 |
| 2017 | 2 |
| 2022 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Energía | 4 |
| Ingeniería electrónica | 4 |
| Simulación por computadora | 3 |
| Fotovoltaica | 2 |
| Semiconductor | 1 |
| Ciencia de materiales | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 5 |
| Ciencias de la computación | 2 |
| Programación informática, programas, datos, seguridad | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
| Otras ramas de la ingeniería | 1 |
| Instrumentos de precisión y otros dispositivos | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 6 |
| Google Scholar | 2 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Crupi F. | 6 |
| Fiegna C. | 3 |
| Marco Lanuzza | 2 |
| Rose R.D. | 2 |
| Cocorullo G. | 2 |
| Zanuccoli M. | 2 |
| Paul Procel | 2 |
| Maccaronio V. | 2 |
| Eliana Acurio | 2 |
| Trojman L. | 2 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs
ArticleAbstract: This work compares the performance and the reliability of recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HEMTs with twoPalabras claves:Al O 2 3, BTI, GaN, MOS-HEMTsAutores:Crupi F., Eliana Acurio, Iucolano F., Magnone P., Trojman L.Fuentes:googlescopusOn recoverable behavior of PBTI in AlGaN/GaN MOS-HEMT
ArticleAbstract: This experimental study focuses on the positive bias temperature instability (PBTI) in a fully recesPalabras claves:AlGaN/GaN MOS-HEMT, Oxide traps, PBTI, Recessed gate, SiO 2Autores:Crupi F., Eliana Acurio, Iucolano F., Magnone P., Meneghesso G., Trojman L.Fuentes:googlescopusAssessment of paper-based MoS<inf>2</inf> FET for Physically Unclonable Functions
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ArticleAbstract: This work presents a study based on electro-optical numerical simulations of the impact of geometricPalabras claves:Numerical modeling, Recombination analysis, Silicon solar cells, TCAD simulationsAutores:Cocorullo G., Crupi F., Fiegna C., Maccaronio V., Magnone P., Paul Procel, Zanuccoli M.Fuentes:scopus