Pala M.
8
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
Cargando gráfico
| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2009 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
Cargando gráfico
| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 2 |
| Mecánica cuántica | 1 |
| Simulación por computadora | 1 |
| Física | 1 |
| Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
Cargando gráfico
| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 3 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
Cargando gráfico
Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Michelini F. | 2 |
| Laurent Raymond | 2 |
| Lannoo M. | 2 |
| Bescond M. | 2 |
Cargando gráfico
Top Keywords
Cargando gráfico
Publicaciones del autor
3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity
ArticleAbstract: We report a numerical study of both donor- and acceptor doping impurity effects in the quantum transPalabras claves:Doping impurity, Green's function, Nanowire transistors, Quantum transport, SimulationAutores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pala M.Fuentes:scopusInfluence of ionized impurities in silicon nanowire MOS transistors
Conference ObjectAbstract: This study presents ionized impurity impacts on silicon nanowire MOS transistors. We first calculatePalabras claves:Green's function, Impurity, Modeling, Nanowire, Quantum transport, transistorAutores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pala M.Fuentes:scopus