Fiegna C.
36
Coauthors
5
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2012 | 1 |
| 2013 | 1 |
| 2014 | 1 |
| 2016 | 1 |
| 2019 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Simulación por computadora | 6 |
| Energía | 4 |
| Fotovoltaica | 2 |
| Ingeniería electrónica | 1 |
| Ciencia de materiales | 1 |
| Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 3 |
| Ciencias de la computación | 2 |
| Ingeniería y operaciones afines | 2 |
| Otras ramas de la ingeniería | 2 |
| Programación informática, programas, datos, seguridad | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 5 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Crupi F. | 4 |
| Magnone P. | 3 |
| Sangiorgi E. | 3 |
| Zanuccoli M. | 3 |
| Marco Lanuzza | 2 |
| Rose R.D. | 2 |
| Cocorullo G. | 2 |
| Paul Procel | 2 |
| Maccaronio V. | 2 |
| Tonini D. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Analysis of the impact of doping levels on performance of back contact - back junction solar cells
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ArticleAbstract: This work presents a study based on electro-optical numerical simulations of the impact of geometricPalabras claves:Numerical modeling, Recombination analysis, Silicon solar cells, TCAD simulationsAutores:Cocorullo G., Crupi F., Fiegna C., Maccaronio V., Magnone P., Paul Procel, Zanuccoli M.Fuentes:scopusA comparative study of MWT architectures by means of numerical simulations
Conference ObjectAbstract: In order to improve the efficiency of c-Si and mc-Si solar cells, Metal Wrap Though (MWT) architectuPalabras claves:back contact, MWT, numerical simulation, Photovoltaics, Solar cell, VíaAutores:Crupi F., Fiegna C., Frei M., Magnone P., Marco Lanuzza, Rose R.D., Sangiorgi E., Tonini D.Fuentes:scopusCharacterization and Modeling of BTI in SiC MOSFETs
Conference ObjectAbstract: SiC power MOSFETs have been investigated by performing two different kinds of measurements, the hystPalabras claves:Autores:Consentino G., Cornigli D., Crupi F., Fiegna C., Reggiani S., Sánchez Luis, Sangiorgi E., Tallarico A.N., Valdivieso C.Fuentes:scopusOptimization of rear point contact geometry by means of 3-D numerical simulation
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