Ronchi N.
19
Coauthors
3
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2018 | 2 |
| 2019 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 3 |
| Ciencia de materiales | 3 |
| Energía | 2 |
| Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 3 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 3 |
| Google Scholar | 3 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Decoutere S. | 3 |
| Eliana Acurio | 3 |
| Trojman L. | 3 |
| De Jaeger B. | 3 |
| Crupi F. | 3 |
| Bakeroot B. | 3 |
| Iucolano F. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Influence of GaN- and Si <inf>3</inf> N <inf>4</inf> -Passivation layers on the performance of AlGaN/GaN diodes with a gated edge termination
ArticleAbstract: This paper analyses the influence of the GaN and Si 3 N 4 passivation (or 'cap') layer on the top ofPalabras claves:activation energy, AlGaN/GaN Schottky diode, breakdown voltage, GaN cap, off-state, passivation layer, reliability, Si N cap 3 4Autores:Bakeroot B., Crupi F., De Jaeger B., Decoutere S., Eliana Acurio, Ronchi N., Trojman L.Fuentes:googlescopusReliability improvements in AlGaN/GaN schottky barrier diodes with a gated edge termination
ArticleAbstract: This paper focuses on the time-dependent breakdown of the AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with a gPalabras claves:AlGaN/GaN Schottky diode, gated edge termination (GET), hard breakdown, intrinsic failures, off-state, reliability, Weibull distributionAutores:Bakeroot B., Crupi F., De Jaeger B., Decoutere S., Eliana Acurio, Ronchi N., Trojman L.Fuentes:googlescopusReliability in GaN-based devices for power applications
Conference ObjectAbstract: This paper analyzes two important reliability issues in AlGaN/GaN devices: positive bias temperaturePalabras claves:AlGaN/GaN SBD, breakdown voltage, de-trapping, GET, MOS-HEMT, PBTI, reliability, TDDB, TRAPPINGAutores:Bakeroot B., Crupi F., De Jaeger B., Decoutere S., Eliana Acurio, Iucolano F., Ronchi N., Trojman L.Fuentes:googlescopus