Documentos de Añez R. | REDI

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Publisher: "Computational Materials Science"

Subtipo de publicación

Área temáticas

Ingeniería y operaciones afines(1)

Química física(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 12: Producción y consumo responsables(1)

ODS 7: Energía asequible y no contaminante(1)

ODS 9: Industria, innovación e infraestructura(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Charge transitions(1)

Charge traps(1)

Oxygen defects(1)

Silicon clusters(1)

First-principles study of oxygen and aluminum defects in β-Si <inf>3</inf>N<inf>4</inf>: Compensation and charge trapping

Abstract: Formation energies for oxygen and aluminum defects in hexagonal silicon nitride (β-Si3N4) were calcu

Palabras claves:

Al defects, Charge transitions, Charge traps, Oxygen defects, Silicon clusters, Silicon nitrides

Añez R., Arreghini A., Beyer V., Breuil L., Czernohorsky M., David Santiago Coll, Degraeve R., Elliott S.D., Grillo M.E., Rodríguez J.A., Shariq A., Suhane A.