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Año de Publicación: "2015"
Subtipo de publicación
Conference Object
(1)
Publisher
2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2015
(1)
Área temáticas
Física aplicada
(1)
Área de conocimiento
Ingeniería electrónica
(1)
Origen
scopus
(1)
Palabras Claves
FD-SOI
(1)
Single Well
(1)
gate-level body biasing
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Low voltage ripple carry adder with low-granularity dynamic forward back-biasing in 28 nm UTBB FD-SOI
Conference Object
Abstract:
In this paper, a low voltage ripple-carry adder (RCA), designed for the ultra-thin body and box (UTB
Palabras claves:
FD-SOI, gate-level body biasing, Single Well
Autores:
Fish A., Levi I., Marco Lanuzza, Ramiro Taco
Fuentes:
scopus
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