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Publisher: "2015 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference, S3S 2015"
Subtipo de publicación
Conference Object
(1)
Área temáticas
Física aplicada
(1)
Área de conocimiento
Ingeniería electrónica
(1)
Año de Publicación
2015
(1)
Origen
scopus
(1)
Palabras Claves
FD-SOI
(1)
Single Well
(1)
gate-level body biasing
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Low voltage ripple carry adder with low-granularity dynamic forward back-biasing in 28 nm UTBB FD-SOI
Conference Object
Abstract:
In this paper, a low voltage ripple-carry adder (RCA), designed for the ultra-thin body and box (UTB
Palabras claves:
FD-SOI, gate-level body biasing, Single Well
Autores:
Fish A., Levi I., Marco Lanuzza, Ramiro Taco
Fuentes:
scopus
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