Smirnov V.
19
Coauthors
2
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Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2020 | 1 |
| 2022 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 3 |
| Energía | 1 |
| Fotovoltaica | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 2 |
| Electricidad y electrónica | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Christian Pillajo | 1 |
| Erick de la Cadena | 1 |
| Bennett N.S. | 1 |
| Acosta E. | 1 |
| Szabo P.S.B. | 1 |
| Rau U. | 1 |
| Pomaska M. | 1 |
| Li S. | 1 |
| Eberst A. | 1 |
| Singh A. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Effect of Large Uniaxial Stress on the Thermoelectric Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films
ArticleAbstract: This study reports on the behaviour of the thermoelectric properties of n- and p-type hydrogenated mPalabras claves:annealing, microcrystalline silicon, Power factor, TEMPERATURE, Thermoelectric, thin films, uniaxial stressAutores:Acosta E., Bennett N.S., Christian Pillajo, Erick de la Cadena, Smirnov V., Szabo P.S.B.Fuentes:scopusTransparent silicon carbide/tunnel SiO<inf>2</inf> passivation for c-Si solar cell front side: Enabling J<inf>sc</inf> > 42 mA/cm<sup>2</sup> and iV<inf>oc</inf> of 742 mV
ArticleAbstract: N-type microcrystalline silicon carbide (μc-SiC:H(n)) is a wide bandgap material that is very promisPalabras claves:antireflecting coating, excellent passivation, Heterojunction, hot wire CVD, lean process, Refractive index, Silicon carbide, tunnel oxideAutores:Ding K., Eberst A., Finger F., Isabella O., Kim D.Y., Köhler M., Li S., Paul Procel, Pomaska M., Qiu K., Rau U., Singh A., Smirnov V., Zamchiy A., Zeman M.Fuentes:scopus