Documentos de De Jaeger B. | REDI

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Publisher: "2018 IEEE 3rd Ecuador Technical Chapters Meeting, ETCM 2018"

Subtipo de publicación

Conference Object(1)

Área temáticas

Física aplicada(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

AlGaN/GaN SBD(1)

Reliability in GaN-based devices for power applications

Conference Object

Abstract: This paper analyzes two important reliability issues in AlGaN/GaN devices: positive bias temperature

Palabras claves:

AlGaN/GaN SBD, breakdown voltage, de-trapping, GET, MOS-HEMT, PBTI, reliability, TDDB, TRAPPING

Bakeroot B., Crupi F., De Jaeger B., Decoutere S., Eliana Acurio, Iucolano F., Ronchi N., Trojman L.