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Palabras Claves: "edge-direct tunneling"
Subtipo de publicación
Article
(1)
Publisher
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems
(1)
Área temáticas
Ciencias de la computación
(1)
Electricidad y electrónica
(1)
Física aplicada
(1)
Área de conocimiento
Arquitectura de computadoras
(1)
Año de Publicación
2021
(1)
Origen
scopus
(1)
Palabras Claves
Cryogenic
(1)
Embedded memory
(1)
data retention time (DRT)
(1)
gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM)
(1)
subthreshold leakage
(1)
Gain-Cell Embedded DRAM under Cryogenic Operation-A First Study
Article
Abstract:
Operating circuits under cryogenic conditions is effective for a large spectrum of applications. How
Palabras claves:
Cryogenic, data retention time (DRT), edge-direct tunneling, Embedded memory, gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM), subthreshold leakage
Autores:
Esteban Garzón, Greenblatt Y., Harel O., Marco Lanuzza, Teman A.
Fuentes:
scopus
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