Fobelets K.
41
Coauthors
6
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2020 | 1 |
| 2021 | 4 |
| 2022 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 11 |
| Radiación electromagnética | 1 |
| Física | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 5 |
| Electricidad y electrónica | 4 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 6 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Velazquez-Perez J.E. | 6 |
| Calvo-Gallego J. | 6 |
| Miguel Ferrando-Bataller | 6 |
| Meziani Y.M. | 6 |
| Delgado-Notario J.A. | 6 |
| Minin O.V. | 3 |
| Minin I.V. | 3 |
| Salvador-Sánchez J. | 2 |
| Abidi E.H. | 1 |
| Baranov P.F. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Electromagnetic Simulation of the Sub-THz Radiation Coupling to n-channel strained-silicon MODFETs
Conference ObjectAbstract: We report on a study of the coupling of electromagnetic radiation to a strained-silicon MODFETs usedPalabras claves:Autores:Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Velazquez-Perez J.E.Fuentes:scopusEffect of the front and back illumination on sub-terahertz detection using n-channel strained-silicon MODFETs
ArticleAbstract: Plasma waves in semiconductor gated 2-D systems can be used to efficiently detect Terahertz (THz) elPalabras claves:electromagnetic simulation, MODFET, SiGe, silicon, terahertzAutores:Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Velazquez-Perez J.E.Fuentes:scopusNumerical study of the coupling of sub-terahertz radiation to n-channel strained-silicon modfets
ArticleAbstract: This paper reports on a study of the response of a T-gate strained-Si MODFETs (modulationdoped fieldPalabras claves:electromagnetic simulation, MODFET, SiGe, silicon, Strained-Si, terahertzAutores:Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Moussaouy A.E., Velazquez-Perez J.E.Fuentes:scopusElectromagnetic Simulation to Determine Mesoscopic Dielectric Particle Parameters for Optimal Terajet Effect
Conference ObjectAbstract: This paper reports on optimization of the parameters, by mean of electromagnetic simulations to obtaPalabras claves:Autores:Abidi E.H., Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Minin I.V., Minin O.V., Velazquez-Perez J.E.Fuentes:scopusResponsivity enhancement of a strained silicon field-effect transistor detector at 0.3 THz using the terajet effect
ArticleAbstract: We report on the enhancement of responsivity by more than one order of magnitude of a silicon-basedPalabras claves:Autores:Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Minin I.V., Minin O.V., Salvador-Sánchez J., Velazquez-Perez J.E.Fuentes:scopus