Documentos de Uspenskii Y.A. | REDI

Regresar

Mostrando 1 resultados de: 1

Filtros aplicados

Área temáticas: "Electricidad y electrónica"

Subtipo de publicación

Publisher

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics(1)

Área temáticas

Física aplicada(1)

Química analítica(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(1)

Nanostructura(1)

Año de Publicación

Origen

Gap narrowing in charged and doped silicon nanoclusters

Abstract: The gap narrowing in charged Si35 H36 and n -type doped Si34 D H36 (D=P, As, Sb, S, Se, and Te) clus

Palabras claves:

Kulatov E., Laurent Raymond, Michelini F., Titov A., Uspenskii Y.A.