Degraeve R.
18
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2013 | 1 |
| 2014 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 4 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 1 |
| Electricidad y electrónica | 1 |
| Magnetismo | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
| Química física | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Goux L. | 1 |
| Simoen E. | 1 |
| J. Moreno | 1 |
| Luis Miguel Prócel Moya | 1 |
| Trojman L. | 1 |
| Crupi F. | 1 |
| Maccaronio V. | 1 |
| Breuil L. | 1 |
| Grillo M.E. | 1 |
| Suhane A. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
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ArticleAbstract: The quantum point contact (QPC) model for dielectric breakdown is used to explain the electron transPalabras claves:Autores:Crupi F., Degraeve R., Goux L., J. Moreno, Luis Miguel Prócel Moya, Maccaronio V., Simoen E., Trojman L.Fuentes:scopusFirst-principles study of oxygen and aluminum defects in β-Si <inf>3</inf>N<inf>4</inf>: Compensation and charge trapping
ArticleAbstract: Formation energies for oxygen and aluminum defects in hexagonal silicon nitride (β-Si3N4) were calcuPalabras claves:Al defects, Charge transitions, Charge traps, Oxygen defects, Silicon clusters, Silicon nitridesAutores:Añez R., Arreghini A., Beyer V., Breuil L., Czernohorsky M., David Santiago Coll, Degraeve R., Elliott S.D., Grillo M.E., Rodríguez J.A., Shariq A., Suhane A.Fuentes:scopus