Documentos de Golman R. | REDI

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Área de conocimiento: "Ingeniería electrónica"

Subtipo de publicación

Publisher

Solid-State Electronics(1)

Área temáticas

Ciencias de la computación(1)

Área de conocimiento

Nanostructura(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

2d materials(1)

Armchair graphene nanoribbon field effect transistor (AGNRFET)(1)

High-k dielectric(1)

Quantum capacitance transient phenomena in high-k dielectric armchair graphene nanoribbon field-effect transistor model

Abstract: Graphene Nanoribbons (GNRs) are an emerging candidate to challenge the place of current semiconducto

Palabras claves:

2d materials, Armchair graphene nanoribbon field effect transistor (AGNRFET), Graphene, High-k dielectric, Low Power, Quantum capacitance, Tunnel FETs

Avnon A., Esteban Garzón, Golman R., Marco Lanuzza, Ngo H.D., Teman A.