Strauch D.
22
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2002 | 1 |
| 2006 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 3 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Cristalografía | 1 |
| Física moderna | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Stojetz B. | 2 |
| Dorner B. | 2 |
| Jorge Serrano | 2 |
| Choyke W.J. | 2 |
| Shishkin Y. | 1 |
| Devaty R.P. | 1 |
| Nagasawa H. | 1 |
| Ke Y. | 1 |
| Kimoto T. | 1 |
| Porter L.M. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Phonons in SiC from INS, IXS, and Ab-initio calculations
Conference ObjectAbstract: Preliminary results for the phonon dispersion curves of hexagonal 4H-SiC from experimental inelasticPalabras claves:3C-SiC, 4H-SiC, Ab initio calculation, Inelastic neutron scattering, Inelastic X-ray scattering, Phonon dispersion, Scattering intensityAutores:Bosak A., Choyke W.J., Dorner B., Ivanov A., Jorge Serrano, Krisch M., Malorny M., Stojetz B., Strauch D.Fuentes:scopusFour current examples of characterization of silicon carbide
Conference ObjectAbstract: A description is given of the profiling of CVD grown 3C SiC on undulant (001) Si using low temperatuPalabras claves:Autores:Bai S., Cardona M., Choyke W.J., Devaty R.P., Dorner B., Hobgood D., Jorge Serrano, Ke Y., Kimoto T., Nagasawa H., Porter L.M., Shigiltchoff O., Shishkin Y., Stojetz B., Strauch D.Fuentes:scopus