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Área de conocimiento: "Arquitectura de computadoras"

Subtipo de publicación

Publisher

IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems(1)

Área temáticas

Ciencias de la computación(1)

Electricidad y electrónica(1)

Física aplicada(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Embedded memory(1)

data retention time (DRT)(1)

edge-direct tunneling(1)

gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM)(1)

Gain-Cell Embedded DRAM under Cryogenic Operation-A First Study

Abstract: Operating circuits under cryogenic conditions is effective for a large spectrum of applications. How

Palabras claves:

Cryogenic, data retention time (DRT), edge-direct tunneling, Embedded memory, gain-cell embedded DRAM (GC-eDRAM), subthreshold leakage

Esteban Garzón, Greenblatt Y., Harel O., Marco Lanuzza, Teman A.