
Iucolano F.
16
Coauthors
3
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2017 | 2 |
2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería electrónica | 2 |
Ciencia de materiales | 2 |
Energía | 2 |
Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 3 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 3 |
Google Scholar | 3 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Eliana Acurio | 3 |
Trojman L. | 3 |
Crupi F. | 3 |
Magnone P. | 2 |
Meneghesso G. | 1 |
Decoutere S. | 1 |
Ronchi N. | 1 |
De Jaeger B. | 1 |
Bakeroot B. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs
ArticleAbstract: This work compares the performance and the reliability of recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HEMTs with twoPalabras claves:Al O 2 3, BTI, GaN, MOS-HEMTsAutores:Crupi F., Eliana Acurio, Iucolano F., Magnone P., Trojman L.Fuentes:googlescopusOn recoverable behavior of PBTI in AlGaN/GaN MOS-HEMT
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