Documentos de Iucolano F. | REDI

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Palabras Claves: "BTI"

Subtipo de publicación

Publisher

Elsevier B.V.(1)

Microelectronic Engineering(1)

Área temáticas

Física aplicada(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(1)

Ingeniería electrónica(1)

Semiconductor(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 17: Alianzas para lograr los objetivos(1)

ODS 1: Fin de la pobreza(1)

ODS 8: Trabajo decente y crecimiento económico(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Impact of AlN layer sandwiched between the GaN and the Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> layers on the performance and reliability of recessed AlGaN/GaN MOS-HEMTs

Abstract: This work compares the performance and the reliability of recessed-gate AlGaN/GaN MOS-HEMTs with two

Palabras claves:

Al O 2 3, BTI, GaN, MOS-HEMTs

Crupi F., Eliana Acurio, Iucolano F., Magnone P., Trojman L.