Documentos de Iucolano F. | REDI

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Filtros aplicados

Publisher: "Solid-State Electronics"

Subtipo de publicación

Área temáticas

Física aplicada(1)

Área de conocimiento

Ingeniería electrónica(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 7: Energía asequible y no contaminante(1)

ODS 8: Trabajo decente y crecimiento económico(1)

ODS 9: Industria, innovación e infraestructura(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

AlGaN/GaN MOS-HEMT(1)

Recessed gate(1)

On recoverable behavior of PBTI in AlGaN/GaN MOS-HEMT

Abstract: This experimental study focuses on the positive bias temperature instability (PBTI) in a fully reces

Palabras claves:

AlGaN/GaN MOS-HEMT, Oxide traps, PBTI, Recessed gate, SiO 2

Crupi F., Eliana Acurio, Iucolano F., Magnone P., Meneghesso G., Trojman L.