Documentos de Beyer V. | REDI

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Área de conocimiento: "Ciencia de materiales"

Subtipo de publicación

Publisher

Computational Materials Science(1)

Área temáticas

Ingeniería y operaciones afines(1)

Química física(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Charge transitions(1)

Charge traps(1)

Oxygen defects(1)

Silicon clusters(1)

First-principles study of oxygen and aluminum defects in β-Si <inf>3</inf>N<inf>4</inf>: Compensation and charge trapping

Abstract: Formation energies for oxygen and aluminum defects in hexagonal silicon nitride (β-Si3N4) were calcu

Palabras claves:

Al defects, Charge transitions, Charge traps, Oxygen defects, Silicon clusters, Silicon nitrides

Añez R., Arreghini A., Beyer V., Breuil L., Czernohorsky M., David Santiago Coll, Degraeve R., Elliott S.D., Grillo M.E., Rodríguez J.A., Shariq A., Suhane A.