Lee P.
16
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2015 | 1 |
| 2016 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 4 |
| Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Electricidad y electrónica | 1 |
| Física aplicada | 1 |
| Magnetismo | 1 |
| Ciencias de la computación | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 2 |
| RRAAE | 1 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Carini M. | 2 |
| Liu Y. | 2 |
| Stashans A. | 2 |
| Luis Villamagua | 2 |
| Liu C. | 2 |
| L. Villamagua Conza | 1 |
| Cheng-Yi L. | 1 |
| A. Stashans | 1 |
| Y. Liu | 1 |
| M. Carini | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Change in the electrical conductivity of SnO<inf>2</inf> crystal from n-type to p-type conductivity
ArticleAbstract: The long-sought fully transparent technology will not come true if the n region of the p-n junctionPalabras claves:Crystal structure, density functional theory, n-type conductivity, p-type conductivity, Tin dioxide (SnO ) 2Autores:Carini M., Lee P., Liu C., Liu Y., Luis Villamagua, Stashans A.Fuentes:googlescopusExperimental Observation and Computer Simulation of Al/Sn Substitution in p-Type Aluminum Nitride-Doped Tin Oxide Thin Film
ArticleAbstract: In this study, the Al3+-Sn4+ substitution reaction in the AlN-doped SnO2 thin films is confirmed byPalabras claves:Autores:A. Stashans, Carini M., Cheng-Yi L., L. Villamagua Conza, Lee P., Liu C., Liu Y., Luis Villamagua, M. Carini, P. Lee, Stashans A., Y. LiuFuentes:googlerraaescopus