Documentos de Moussaouy A.E. | REDI

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Objetivos de Desarrollo Sostenible: "ODS 17: Alianzas para lograr los objetivos"

Subtipo de publicación

Publisher

Sensors (Switzerland)(1)

Thin Solid Films(1)

Área temáticas

Electricidad y electrónica(2)

Física aplicada(2)

Química física(1)

Área de conocimiento

Ingeniería electrónica(1)

Mecánica cuántica(1)

Objetivos de Desarrollo Sostenible

ODS 9: Industria, innovación e infraestructura(2)

ODS 4: Educación de calidad(1)

ODS 8: Trabajo decente y crecimiento económico(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Binding energy(1)

Donor impurity(1)

Numerical study of the coupling of sub-terahertz radiation to n-channel strained-silicon modfets

Abstract: This paper reports on a study of the response of a T-gate strained-Si MODFETs (modulationdoped field

Palabras claves:

electromagnetic simulation, MODFET, SiGe, silicon, Strained-Si, terahertz

Calvo-Gallego J., Delgado-Notario J.A., Fobelets K., Meziani Y.M., Miguel Ferrando-Bataller, Moussaouy A.E., Velazquez-Perez J.E.

The intensity and direction of the electric field effects on off-center shallow-donor impurity binding energy in wedge-shaped cylindrical quantum dots

Abstract: Taking into account an infinite confinement potential, including the influence of external electric

Palabras claves:

Binding energy, Donor impurity, electric field, Wedge-shaped cylindrical quantum dot

Belamkadem L., Boussetta R., Chnafi M., Chouef S., David Laroze, Duque C.A., Fobasso Mbognou F.C., Kenfack-Sadem C., Kerkour El-Miad A., Keumo Tsiaze R.M., Mommadi O., Moussaouy A.E., Vinasco J.A.