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Ab initio study of γ-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> surfaces
ArticleAbstract: Starting from the theoretical pbkp_rediction of the γ-Al 2O3 structure using density-functional theoPalabras claves:Autores:Elliott S.D., Henry P. Pinto, Nieminen R.M.Fuentes:googlescopusModelling the deposition of high-k dielectric films by first principles
Conference ObjectAbstract: Considerable interest is focussed on high-k dielectrics as replacements for the gate oxide in futurePalabras claves:ab initio calculations, Alumina, Atomic Layer Deposition, High-k dielectrics, Oxide surfaceAutores:Elliott S.D., Henry P. PintoFuentes:googlescopus