Influencia del voltaje de polarización del sustrato (bias), en la estructura cristalográfica de recubrimientos de TióAl4V, realizados mediante magnetrón rf

Abstract:

En este trabajo, se presentan los resultados obtenidos en el crecimiento de películas delgadas de Ti6Al4V, sobre sustratos de vidrio y Acero AISI 420, mediante la técnica magnetrón rf bias. Las láminas obtenidas a partir de un blanco de Ti6 Al4 V se depositaron a una presión final de 3x10-3 mbar en una atmósfera de Ar ya una potencia incidente de 500 W, se tomo como parámetro de estudio el voltaje de polarización inversa del sustrato, el cual se hizo variar desde-100 V hasta-200 V. El estudio estructural y morfológico de las láminas, realizado a través de los resultados de difracción de rayos X y microscopia electrónica de barrido (SEM) muestran, en los dos sustratos, que a medida que se aumenta el voltaje de polarización inversa sobre el sustrato las láminas presentan planos (hkl) con orientaciones preferenciales.

Año de publicación:

2003

Keywords:

Fuente:

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