A simple 'bandgap'-type magnetoamplifier
Abstract:
A simple and very sensitive amplifier circuit for the signal amplification of a lateral magnetotransistor is presented. This circuit was originally used as a bandgap voltage reference source, so its attainable temperature stability is good. Both collectors of the lateral magnetotransistor are forced to be practically equipotential. A sensitivity of 13.30 T-1 with a thermal drift of 30 mV in 40 K (due to the sensor) around room temperature has been obtained experimentally.
Año de publicación:
1996
Keywords:
- Lateral magnetotransistors
- Magnetoamplifier
- Bandgap
Fuente:
scopus
googleTipo de documento:
Article
Estado:
Acceso restringido
Áreas de conocimiento:
- Ingeniería electrónica
- Ingeniería electrónica
- Ingeniería electrónica
Áreas temáticas de Dewey:
- Física aplicada
- Electricidad y electrónica
Objetivos de Desarrollo Sostenible:
- ODS 9: Industria, innovación e infraestructura
- ODS 17: Alianzas para lograr los objetivos
- ODS 8: Trabajo decente y crecimiento económico