Morales A.L.
98
Coauthors
11
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2019 | 1 |
| 2020 | 3 |
| 2021 | 4 |
| 2022 | 3 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 8 |
| Mecánica cuántica | 6 |
| Física | 4 |
| Semiconductor | 2 |
| Nanostructura | 1 |
| Nanopartícula | 1 |
| Optimización matemática | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Electricidad y electrónica | 6 |
| Física moderna | 4 |
| Física aplicada | 4 |
| Química analítica | 3 |
| Química física | 2 |
| Física | 2 |
| Magnetismo | 2 |
| Química inorgánica | 1 |
| Cristalografía | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 11 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| David Laroze | 11 |
| Duque C.A. | 11 |
| Tiutiunnyk A. | 7 |
| Tulupenko V. | 6 |
| Restrepo R.L. | 6 |
| Radu A. | 6 |
| Vinasco J.A. | 6 |
| Mora-Ramos M.E. | 5 |
| Demediuk R. | 4 |
| Akimov V. | 4 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Optical properties and conductivity of biased GaAs quantum dots
ArticleAbstract: We report the intraband optical absorption influence on the tunneling currents in biased gallium arsPalabras claves:absorption coefficient, Electrical conductivity, Intraband transitions, quantum dots, Tunnel effectAutores:Aqiqi S., David Laroze, Duque C.A., Gil-Corrales J.A., Morales A.L., Radu A., Vinasco J.A.Fuentes:scopusBackground impurities and a delta-doped QW. Part I: Center doping
ArticleAbstract: The influence of shallow background donor impurities on the energy characteristics of the SiGe/Si/SiPalabras claves:Impurity binding energy, Modulation doping, self-consistent calculation, semiconductor quantum wellsAutores:Akimov V., David Laroze, Demediuk R., Duque C.A., Kovalov V., Morales A.L., Sushchenko D., Tiutiunnyk A., Tulupenko V.Fuentes:scopusBackground impurities in a delta-doped QW. Part II: Edge doping
ArticleAbstract: This is the second part of our study of the background impurity influence on the intersubband energyPalabras claves:Impurity binding energy, Modulation doping, Quantum well, self-consistent methodAutores:Akimov V., David Laroze, Demediuk R., Duque C.A., Kovalov V., Morales A.L., Sushchenko D., Tiutiunnyk A., Tulupenko V.Fuentes:scopusHydrogenic Impurity States in a Delta-Layer Within Quantum Wells in a Transversal Electric Field
Conference ObjectAbstract: The effect of a transversal electric field on the impurity binding energy and the energy differencesPalabras claves:electric field, Modulation doping, shallow impurity, SiGe quantum wellsAutores:Akimov V., David Laroze, Demediuk R., Duque C.A., Fomina O., Morales A.L., Sushchenko D., Tiutiunnyk A., Tulupenko V.Fuentes:scopusIntersubband Energy Differences of Delta-Doped Quantum Wells in External Electric Field
Conference ObjectAbstract: The energy differences between subbands of a semiconductor quantum well delta-doped inside the wellPalabras claves:electric field, Modulation doping, shallow impurity, SiGe quantum wellsAutores:Akimov V., David Laroze, Demediuk R., Duque C.A., Fomina O., Morales A.L., Sushchenko D., Tiutiunnyk A., Tulupenko V.Fuentes:scopus