Rouleau C.M.
58
Coauthors
5
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2015 | 3 |
| 2016 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 10 |
| Semiconductor | 2 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería y operaciones afines | 4 |
| Cristalografía | 3 |
| Física aplicada | 2 |
| Química y ciencias afines | 1 |
| Física | 1 |
| Física moderna | 1 |
| Química inorgánica | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 5 |
| Google Scholar | 4 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Xiao K. | 5 |
| Puretzky A.A. | 5 |
| Leonardo Basile | 5 |
| Geohegan D.B. | 5 |
| Idrobo J.C. | 4 |
| Li X. | 4 |
| Lee J. | 4 |
| Lin M.W. | 4 |
| Wang K. | 3 |
| Yoon M. | 3 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Persistent photoconductivity in two-dimensional Mo<inf>1-x</inf>W<inf>x</inf>Se<inf>2</inf>-MoSe<inf>2</inf> van der Waals heterojunctions
ArticleAbstract: Van der Waals (vdW) heterojunctions consisting of vertically-stacked individual or multiple layers oPalabras claves:crystal, Optoelectronic, photoconductivityAutores:Geohegan D.B., Idrobo J.C., Leonardo Basile, Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.Fuentes:scopusRevealing the preferred interlayer orientations and stackings of two-dimensional bilayer gallium selenide crystals
ArticleAbstract: Characterizing and controlling the interlayer orientations and stacking orders of two-dimensional (2Palabras claves:Gallium selenide, Interlayer orientation, Monolayers, Stacking, Vapor-phase depositionAutores:Chi M., Geohegan D.B., Idrobo J.C., Lee J., Leonardo Basile, Li X., Ma C., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Xiao K., Yoon M.Fuentes:googlescopusPatterned arrays of lateral heterojunctions within monolayer two-dimensional semiconductors
ArticleAbstract: The formation of semiconductor heterojunctions and their high-density integration are foundations ofPalabras claves:Autores:Boulesbaa A., Geohegan D.B., Ivanov I.N., Lee J., Leonardo Basile, Lin M.W., Lupini A.R., Mahjouri-Samani M., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K., Yoon M.Fuentes:googlescopusIsoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation
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ArticleAbstract: Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) heterostructures are a family of artificially structured maPalabras claves:Chemical vapor deposition, GaSe, Graphene, heterostructures, van der Waals epitaxyAutores:Chi M., Geohegan D.B., Huang B., Idrobo J.C., Lee J., Leonardo Basile, Li X., Lin M.W., Ma C., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Sumpter B.G., Vlassiouk I.V., Xiao K., Yoon M.Fuentes:googlescopus