Regresar

Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation

Abstract:

Año de publicación:

2016

Keywords:

  • isoelectronic
  • Mo W Se 1- x x 2
  • alloys
  • p−n homojunctions
  • carrier type modulation

Fuente:

scopusscopus
googlegoogle

Tipo de documento:

Article

Estado:

Acceso restringido

Áreas de conocimiento:

  • Ciencia de materiales
  • Ciencia de materiales

Áreas temáticas:

  • Ingeniería y operaciones afines
  • Química y ciencias afines
  • Física

Contribuidores:

Chen C.H.Chen C.H.
Idrobo J.C.Idrobo J.C.
Xiao K.Xiao K.
Kuo Y.C.Kuo Y.C.
Rouleau C.M.Rouleau C.M.
Wang K.Wang K.
Puretzky A.A.Puretzky A.A.
Leonardo BasileLeonardo Basile
Li X.Li X.
Lee J.Lee J.
Geohegan D.B.Geohegan D.B.
Hus S.M.Hus S.M.
Li A.P.Li A.P.
Chang L.Y.Chang L.Y.
Lin M.W.Lin M.W.