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Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation

Abstract:

Año de publicación:

2016

Keywords:

  • isoelectronic
  • Mo W Se 1- x x 2
  • alloys
  • p−n homojunctions
  • carrier type modulation

Fuente:

scopusscopus
googlegoogle

Tipo de documento:

Article

Estado:

Acceso restringido

Áreas de conocimiento:

  • Ciencia de materiales
  • Ciencia de materiales

Áreas temáticas de Dewey:

  • Ingeniería y operaciones afines
  • Química y ciencias afines
  • Física
Procesado con IAProcesado con IA

Objetivos de Desarrollo Sostenible:

  • ODS 9: Industria, innovación e infraestructura
  • ODS 12: Producción y consumo responsables
  • ODS 7: Energía asequible y no contaminante
Procesado con IAProcesado con IA

Contribuidores:

Chen C.H.Chen C.H.
Idrobo J.C.Idrobo J.C.
Xiao K.Xiao K.
Kuo Y.C.Kuo Y.C.
Rouleau C.M.Rouleau C.M.
Wang K.Wang K.
Puretzky A.A.Puretzky A.A.
Leonardo BasileLeonardo Basile
Li X.Li X.
Lee J.Lee J.
Geohegan D.B.Geohegan D.B.
Hus S.M.Hus S.M.
Li A.P.Li A.P.
Chang L.Y.Chang L.Y.
Lin M.W.Lin M.W.