Li A.P.
23
Coauthors
2
Documentos
Volumen de publicaciones por año
Cargando gráfico
| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2014 | 1 |
| 2016 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
Cargando gráfico
| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ciencia de materiales | 4 |
Publicaciones por áreas temáticas
Cargando gráfico
| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería y operaciones afines | 2 |
| Química inorgánica | 1 |
| Física aplicada | 1 |
| Química y ciencias afines | 1 |
| Física | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 2 |
| RRAAE | 0 |
Cargando gráfico
Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Idrobo J.C. | 2 |
| Leonardo Basile | 2 |
| Gu G. | 1 |
| Liu L. | 1 |
| McCarty K. | 1 |
| Deng W. | 1 |
| Clark K. | 1 |
| Park J. | 1 |
| Siegel D. | 1 |
| Chen C.H. | 1 |
Cargando gráfico
Top Keywords
Cargando gráfico
Publicaciones del autor
Heteroepitaxial growth of two-dimensional hexagonal boron nitride templated by graphene edges
ArticleAbstract: By adapting the concept of epitaxy to two-dimensional space, we show the growth of a single-atomic-lPalabras claves:Autores:Clark K., Deng W., Gu G., Idrobo J.C., Leonardo Basile, Li A.P., Liu L., McCarty K., Park J., Siegel D.Fuentes:googlescopusIsoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation
ArticleAbstract:Palabras claves:alloys, carrier type modulation, isoelectronic, Mo W Se 1- x x 2, p−n homojunctionsAutores:Chang L.Y., Chen C.H., Geohegan D.B., Hus S.M., Idrobo J.C., Kuo Y.C., Lee J., Leonardo Basile, Li A.P., Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.Fuentes:googlescopus