Documentos de Li A.P. | REDI

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Subtipo de publicación

Publisher

Advanced Materials(1)

Área temáticas

Ingeniería y operaciones afines(2)

Física aplicada(1)

Química inorgánica(1)

Química y ciencias afines(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(2)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Mo W Se 1- x x 2(1)

carrier type modulation(1)

isoelectronic(1)

p−n homojunctions(1)

Heteroepitaxial growth of two-dimensional hexagonal boron nitride templated by graphene edges

Abstract: By adapting the concept of epitaxy to two-dimensional space, we show the growth of a single-atomic-l

Palabras claves:

Clark K., Deng W., Gu G., Idrobo J.C., Leonardo Basile, Li A.P., Liu L., McCarty K., Park J., Siegel D.

Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation

Palabras claves:

alloys, carrier type modulation, isoelectronic, Mo W Se 1- x x 2, p−n homojunctions

Chang L.Y., Chen C.H., Geohegan D.B., Hus S.M., Idrobo J.C., Kuo Y.C., Lee J., Leonardo Basile, Li A.P., Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.