Puretzky A.A.
68
Coauthors
6
Documentos
Volumen de publicaciones por año
Cargando gráfico
Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2015 | 4 |
2016 | 2 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
Cargando gráfico
Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ciencia de materiales | 12 |
Semiconductor | 2 |
Nanostructura | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
Cargando gráfico
Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería y operaciones afines | 4 |
Cristalografía | 4 |
Química inorgánica | 2 |
Física aplicada | 2 |
Química y ciencias afines | 1 |
Física | 1 |
Química física | 1 |
Física moderna | 1 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 6 |
Google Scholar | 5 |
RRAAE | 0 |
Cargando gráfico
Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Xiao K. | 6 |
Leonardo Basile | 6 |
Geohegan D.B. | 6 |
Idrobo J.C. | 5 |
Rouleau C.M. | 5 |
Li X. | 5 |
Wang K. | 4 |
Lee J. | 4 |
Lin M.W. | 4 |
Yoon M. | 3 |
Cargando gráfico
Top Keywords
Cargando gráfico
Publicaciones del autor
Persistent photoconductivity in two-dimensional Mo<inf>1-x</inf>W<inf>x</inf>Se<inf>2</inf>-MoSe<inf>2</inf> van der Waals heterojunctions
ArticleAbstract: Van der Waals (vdW) heterojunctions consisting of vertically-stacked individual or multiple layers oPalabras claves:crystal, Optoelectronic, photoconductivityAutores:Geohegan D.B., Idrobo J.C., Leonardo Basile, Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.Fuentes:scopusLow-Frequency Raman Fingerprints of Two-Dimensional Metal Dichalcogenide Layer Stacking Configurations
ArticleAbstract: The tunable optoelectronic properties of stacked two-dimensional (2D) crystal monolayers are determiPalabras claves:first-principles calculations, low-frequency Raman spectroscopy, stacking configurations, Transition metal dichalcogenides, two-dimensional materialsAutores:Geohegan D.B., Idrobo J.C., Leonardo Basile, Li X., Liang L., Mahjouri-Samani M., Meunier V., Puretzky A.A., Sumpter B.G., Wang K., Xiao K.Fuentes:googlescopusRevealing the preferred interlayer orientations and stackings of two-dimensional bilayer gallium selenide crystals
ArticleAbstract: Characterizing and controlling the interlayer orientations and stacking orders of two-dimensional (2Palabras claves:Gallium selenide, Interlayer orientation, Monolayers, Stacking, Vapor-phase depositionAutores:Chi M., Geohegan D.B., Idrobo J.C., Lee J., Leonardo Basile, Li X., Ma C., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Xiao K., Yoon M.Fuentes:googlescopusPatterned arrays of lateral heterojunctions within monolayer two-dimensional semiconductors
ArticleAbstract: The formation of semiconductor heterojunctions and their high-density integration are foundations ofPalabras claves:Autores:Boulesbaa A., Geohegan D.B., Ivanov I.N., Lee J., Leonardo Basile, Lin M.W., Lupini A.R., Mahjouri-Samani M., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K., Yoon M.Fuentes:googlescopusIsoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation
ArticleAbstract:Palabras claves:alloys, carrier type modulation, isoelectronic, Mo W Se 1- x x 2, p−n homojunctionsAutores:Chang L.Y., Chen C.H., Geohegan D.B., Hus S.M., Idrobo J.C., Kuo Y.C., Lee J., Leonardo Basile, Li A.P., Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.Fuentes:googlescopus