Esteban Guevara
ESPOCH
8
Coauthors
2
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2
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Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2019 | 1 |
| 2020 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 2 |
| Ciencia de materiales | 2 |
| Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 2 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 2 |
| Google Scholar | 1 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Victor Isaac Herrera Perez | 1 |
| Cristian Rocha | 1 |
| Katherine Guerrero | 1 |
| Reggiani S. | 1 |
| Sánchez Luis | 1 |
| Meneghesso G. | 1 |
| Consentino G. | 1 |
| Crupi F. | 1 |
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Publicaciones del autor
Threshold voltage degradation for n-channel 4H-SiC power MOSFETs
ArticleAbstract: In this study, threshold voltage instability on commercial silicon carbide (SiC) power metal oxide sPalabras claves:Hysteresis, Pulsed IV measurements, Recovery voltage, Silicon carbide MOSFET, Stress modeling, Threshold voltageAutores:Cristian Rocha, Esteban Guevara, Katherine Guerrero, Victor Isaac Herrera PerezFuentes:googlescopusThreshold voltage instability in SiC power MOSFETs
Conference ObjectAbstract: Charge trapping and de-trapping phenomena in SiC power MOSFETs were investigated by performing two dPalabras claves:Autores:Consentino G., Crupi F., Esteban Guevara, Meneghesso G., Reggiani S., Sánchez LuisFuentes:scopus