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Palabras Claves: "Static Noise Margins"
Subtipo de publicación
Conference Object
(1)
Publisher
Proceedings - 32nd Symposium on Integrated Circuits and Systems Design, SBCCI 2019
(1)
Área temáticas
Física aplicada
(1)
Área de conocimiento
Fabricación de dispositivos semiconductores
(1)
Ingeniería electrónica
(1)
Año de Publicación
2019
(1)
Origen
scopus
(1)
Palabras Claves
FinFET
(1)
Low voltage
(1)
SRAM memory
(1)
Tunnel-FET
(1)
stability analysis
(1)
New Insight for next Generation SRAM: Tunnel FET versus FinFET for Different Topologies
Conference Object
Abstract:
The purpose of this work is to point out the main differences between a Static Random-Access Memory
Palabras claves:
FinFET, Low voltage, SRAM memory, stability analysis, Static Noise Margins, Tunnel-FET
Autores:
Adriana Arevalo, Daniel Romero, Liautard R., Luis Miguel Prócel Moya, Trojman L.
Fuentes:
scopus
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