Lannoo M.
47
Coauthors
10
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2005 | 1 |
| 2009 | 2 |
| 2010 | 2 |
| 2011 | 1 |
| 2013 | 1 |
| 2015 | 2 |
| 2017 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 7 |
| Ciencia de materiales | 5 |
| Simulación por computadora | 4 |
| Semiconductor | 4 |
| Mecánica cuántica | 3 |
| Física | 2 |
| Nanostructura | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 10 |
| Ingeniería y operaciones afines | 2 |
| Electricidad y electrónica | 2 |
| Física moderna | 1 |
| Física | 1 |
| Otras ramas de la ingeniería | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 10 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Laurent Raymond | 10 |
| Bescond M. | 10 |
| Cavassilas N. | 7 |
| Michelini F. | 6 |
| Pala M. | 2 |
| Berrada S. | 2 |
| Pons N. | 2 |
| Asenov A. | 1 |
| Kalna K. | 1 |
| Autran J.L. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Single donor induced negative differential resistance in silicon n-type nanowire metal-oxide-semiconductor transistors
ArticleAbstract: This work presents a theoretical study of the influence of a single donor on the transport propertiePalabras claves:Autores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F.Fuentes:scopus3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity
ArticleAbstract: We report a numerical study of both donor- and acceptor doping impurity effects in the quantum transPalabras claves:Doping impurity, Green's function, Nanowire transistors, Quantum transport, SimulationAutores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pala M.Fuentes:scopusCarrier injection engineering in nanowire transistors via dopant and shape monitoring of the access regions
ArticleAbstract: This work theoretically studies the influence of both the geometry and the discrete nature of dopantPalabras claves:Autores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopusInfluence of ionized impurities in silicon nanowire MOS transistors
Conference ObjectAbstract: This study presents ionized impurity impacts on silicon nanowire MOS transistors. We first calculatePalabras claves:Green's function, Impurity, Modeling, Nanowire, Quantum transport, transistorAutores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pala M.Fuentes:scopusThe impact of lead geometry and discrete doping on NWFET operation
Conference ObjectAbstract: This work investigates the influence of discrete dopant positions and lead geometry on the contact rPalabras claves:Dielectrics, Doping, Geometry, Impurities, Logic gates, Semiconductor process modeling, siliconAutores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopus