Selmi L.
22
Coauthors
4
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2016 | 1 |
2017 | 2 |
2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería electrónica | 6 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 4 |
Ciencias de la computación | 1 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 4 |
Google Scholar | 0 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Strangio S. | 4 |
Palestri P. | 4 |
Marco Lanuzza | 4 |
Esseni D. | 4 |
Crupi F. | 4 |
Settino F. | 2 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Assessment of InAs/AlGaSb Tunnel-FET Virtual Technology Platform for Low-Power Digital Circuits
ArticleAbstract: In this work, a complementary InAs/Al0.05Ga0.95Sb tunnel field-effect-Transistor (TFET) virtual techPalabras claves:full-Adder, III-V, tunnel field effect transistor (TFET), very large scale integration (VLSI).Autores:Crupi F., Esseni D., Marco Lanuzza, Palestri P., Selmi L., Strangio S.Fuentes:scopusBenchmarks of a III-V TFET technology platform against the 10-nm CMOS FinFET technology node considering basic arithmetic circuits
ArticleAbstract: In this work, a benchmark for low-power digital applications of a III-V TFET technology platform agaPalabras claves:Full adders, III-V, Ripple carry adders, TFETAutores:Crupi F., Esseni D., Marco Lanuzza, Palestri P., Selmi L., Strangio S.Fuentes:scopusDigital and analog TFET circuits: Design and benchmark
ReviewAbstract: In this work, we investigate by means of simulations the performance of basic digital, analog, and mPalabras claves:Analog circuits, digital circuits, Simulation, TCAD, Tunnel-FETAutores:Crupi F., Esseni D., Marco Lanuzza, Palestri P., Selmi L., Settino F., Strangio S.Fuentes:scopusUnderstanding the potential and limitations of tunnel FETs for low-voltage analog/mixed-signal circuits
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