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Publisher
Advanced Materials
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Área temáticas
Física
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Ingeniería y operaciones afines
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Química y ciencias afines
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Área de conocimiento
Ciencia de materiales
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Año de Publicación
2016
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Origen
google
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scopus
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Palabras Claves
Mo W Se 1- x x 2
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alloys
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carrier type modulation
(1)
isoelectronic
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p−n homojunctions
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Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation
Article
Abstract:
Palabras claves:
alloys, carrier type modulation, isoelectronic, Mo W Se 1- x x 2, p−n homojunctions
Autores:
Chang L.Y., Chen C.H., Geohegan D.B., Hus S.M., Idrobo J.C., Kuo Y.C., Lee J., Leonardo Basile, Li A.P., Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.
Fuentes:
google
scopus
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