Finocchio G.
82
Coauthors
13
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2015 | 1 |
2017 | 4 |
2018 | 1 |
2019 | 2 |
2020 | 3 |
2021 | 1 |
2023 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Simulación por computadora | 9 |
Ingeniería electrónica | 7 |
Campo magnético | 5 |
Ciencias de la computación | 2 |
Ciencia de materiales | 2 |
Arquitectura de computadoras | 1 |
Inteligencia artificial | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 10 |
Ciencias de la computación | 4 |
Electricidad y electrónica | 2 |
Física | 1 |
Instrumentos de precisión y otros dispositivos | 1 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 13 |
Google Scholar | 0 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Carpentieri M. | 13 |
Marco Lanuzza | 13 |
Rose R.D. | 11 |
Crupi F. | 10 |
Esteban Garzón | 4 |
Tomasello R. | 4 |
Siracusano G. | 4 |
Puliafito V. | 3 |
Carangelo G. | 2 |
D'Aquino M. | 2 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Compact Modeling of Perpendicular STT-MTJs with Double Reference Layers
ArticleAbstract: This paper shows the steps to set up a simulation framework for perpendicular spin-transfer torque (Palabras claves:compact model, Double-barrier MTJ, non-volatile flip-flop (NVFF), STT switchingAutores:Carpentieri M., Crupi F., D'Aquino M., Finocchio G., Marco Lanuzza, Rose R.D.Fuentes:scopusA Low-Energy DMTJ-Based Ternary Content- Addressable Memory With Reliable Sub-Nanosecond Search Operation
ArticleAbstract: In this paper, we propose an energy-efficient, reliable, hybrid, 10-transistor/2-Double-Barrier-MagnPalabras claves:Double-barrier MTJ, energy-efficiency, Low-power, non-volatile TCAM (NV-TCAM)Autores:Carpentieri M., Esteban Garzón, Finocchio G., Marco Lanuzza, Teman A., Yavits L.Fuentes:scopusField-Free Magnetic Tunnel Junction for Logic Operations Based on Voltage-Controlled Magnetic Anisotropy
ArticleAbstract: This letter demonstrates how to perform logic operations on the data stored in magnetic tunnel junctPalabras claves:logic operation, magnetic tunnel junction, micromagnetism, Spin electronicsAutores:Carpentieri M., Cutugno F., Esteban Garzón, Finocchio G., Marco Lanuzza, Rose R.D.Fuentes:scopusImpact of voltage scaling on STT-MRAMs through a variability-aware simulation framework
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ArticleAbstract: This paper explores non-volatile cache memories implemented by spin-transfer torque magnetic randomPalabras claves:cache memory, Device-to-system simulation framework, double-barrier magnetic tunnel junction (DMTJ), FinFET, STT-MRAMAutores:Carpentieri M., Crupi F., Esteban Garzón, Finocchio G., Marco Lanuzza, Rose R.D., Trojman L.Fuentes:scopus