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Publisher: "IEEE Transactions on Device and Materials Reliability"
Subtipo de publicación
Article
(1)
Área temáticas
Física aplicada
(1)
Área de conocimiento
Ciencia de materiales
(1)
Ingeniería electrónica
(1)
Año de Publicación
2016
(1)
Origen
google
(1)
scopus
(1)
Palabras Claves
channel hot carrier degradation
(1)
defect-centric distribution
(1)
temperature analysis
(1)
A Defect-Centric Analysis of the Temperature Dependence of the Channel Hot Carrier Degradation in nMOSFETs
Article
Abstract:
The defect-centric distribution is used to study the temperature dependence of channel hot carrier (
Palabras claves:
channel hot carrier degradation, defect-centric distribution, temperature analysis
Autores:
Crupi F., Franco J., Kaczer B., Luis Miguel Procel Moya, Trojman L.
Fuentes:
google
scopus
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