Documentos de Chang L.Y. | REDI

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Área temáticas: "Ingeniería y operaciones afines"

Subtipo de publicación

Publisher

Advanced Materials(1)

Área temáticas

Química y ciencias afines(1)

Área de conocimiento

Ciencia de materiales(1)

Año de Publicación

Origen

Palabras Claves

Mo W Se 1- x x 2(1)

carrier type modulation(1)

isoelectronic(1)

p−n homojunctions(1)

Isoelectronic Tungsten Doping in Monolayer MoSe<inf>2</inf>for Carrier Type Modulation

Palabras claves:

alloys, carrier type modulation, isoelectronic, Mo W Se 1- x x 2, p−n homojunctions

Chang L.Y., Chen C.H., Geohegan D.B., Hus S.M., Idrobo J.C., Kuo Y.C., Lee J., Leonardo Basile, Li A.P., Li X., Lin M.W., Puretzky A.A., Rouleau C.M., Wang K., Xiao K.