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2010 14th International Workshop on Computational Electronics, IWCE 2010(1)
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Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM(1)
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scopus(3)
Three-dimensional k p real-space quantum transport simulations of p-type nanowire transistors: Influence of ionized impurities
ArticleAbstract: We present a three-dimensional quantum transport simulator for p-type nanowire transistors. This selPalabras claves:Autores:Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.Fuentes:scopusThree-dimensional k.p quantum simulations of p-type nanowire MOS transistors: Influence of ionized impurity
Conference ObjectAbstract: We have developed a full three-dimensional real-space quantum transport simulator for p-type nanowirPalabras claves:Acceptor, Hole, Impurity, k.p method, Nanowire, Quantum, Resonant interferences, transportAutores:Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.Fuentes:scopusTime-resolved quantum transport for optoelectronics
Conference ObjectAbstract: We investigate time-resolved energy currents in a molecular optoelectronic junction made of two donoPalabras claves:Autores:Beltako K., Bescond M., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F.Fuentes:scopus