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Pons N.

14

Coauthors

3

Documentos

Volumen de publicaciones por año

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Año de publicación	Num. Publicaciones
2009	1
2010	1
2011	1

Publicaciones por áreas de conocimiento

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Área de conocimiento	Num. Publicaciones
Simulación por computadora	6
Ingeniería electrónica	1
Semiconductor	1
Mecánica cuántica	1

Publicaciones por áreas temáticas

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Área temática	Num. Publicaciones
Física aplicada	3
Electricidad y electrónica	2
Otras ramas de la ingeniería	1

Principales fuentes de datos

Origen	Num. Publicaciones
Scopus	3
Google Scholar	0
RRAAE	0

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Coautores destacados por número de publicaciones

Coautor	Num. Publicaciones
Cavassilas N.	3
Michelini F.	3
Laurent Raymond	3
Bescond M.	3
Lannoo M.	2

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Top Keywords

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Publicaciones del autor

Original shaped nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with enhanced current characteristics based on three-dimensional modeling

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Palabras claves:

Bescond M., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.

Three-dimensional k p real-space quantum transport simulations of p-type nanowire transistors: Influence of ionized impurities

Abstract: We present a three-dimensional quantum transport simulator for p-type nanowire transistors. This sel

Palabras claves:

Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.

Three-dimensional k.p quantum simulations of p-type nanowire MOS transistors: Influence of ionized impurity

Conference Object

Abstract: We have developed a full three-dimensional real-space quantum transport simulator for p-type nanowir

Palabras claves:

Acceptor, Hole, Impurity, k.p method, Nanowire, Quantum, Resonant interferences, transport

Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.