Cavassilas N.
47
Coauthors
10
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2005 | 1 |
| 2009 | 1 |
| 2010 | 1 |
| 2011 | 1 |
| 2013 | 1 |
| 2015 | 2 |
| 2017 | 2 |
| 2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Ingeniería electrónica | 7 |
| Simulación por computadora | 6 |
| Ciencia de materiales | 4 |
| Semiconductor | 3 |
| Física | 3 |
| Mecánica cuántica | 3 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 8 |
| Electricidad y electrónica | 4 |
| Física moderna | 2 |
| Otras ramas de la ingeniería | 2 |
| Química física | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
| Física | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 10 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Laurent Raymond | 10 |
| Bescond M. | 9 |
| Lannoo M. | 7 |
| Michelini F. | 6 |
| Pons N. | 3 |
| Berrada S. | 2 |
| Beltako K. | 2 |
| Asenov A. | 1 |
| Kalna K. | 1 |
| Autran J.L. | 1 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Dynamical photo-induced electronic properties of molecular junctions
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ArticleAbstract: This work theoretically studies the influence of both the geometry and the discrete nature of dopantPalabras claves:Autores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopusOriginal shaped nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with enhanced current characteristics based on three-dimensional modeling
ArticleAbstract: This work presents original nanowire transistor architectures leading to device performance improvemPalabras claves:Autores:Bescond M., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.Fuentes:scopusThe impact of lead geometry and discrete doping on NWFET operation
Conference ObjectAbstract: This work investigates the influence of discrete dopant positions and lead geometry on the contact rPalabras claves:Dielectrics, Doping, Geometry, Impurities, Logic gates, Semiconductor process modeling, siliconAutores:Berrada S., Bescond M., Cavassilas N., Lannoo M., Laurent RaymondFuentes:scopusTime-resolved quantum transport for optoelectronics
Conference ObjectAbstract: We investigate time-resolved energy currents in a molecular optoelectronic junction made of two donoPalabras claves:Autores:Beltako K., Bescond M., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F.Fuentes:scopus