
Brady R.
6
Coauthors
3
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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Año de publicación | Num. Publicaciones |
---|---|
2006 | 2 |
2007 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
---|---|
Ingeniería electrónica | 5 |
Fabricación de dispositivos semiconductores | 1 |
Semiconductor | 1 |
Publicaciones por áreas temáticas
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Área temática | Num. Publicaciones |
---|---|
Física aplicada | 3 |
Principales fuentes de datos
Origen | Num. Publicaciones |
---|---|
Scopus | 3 |
Google Scholar | 0 |
RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
Coautor | Num. Publicaciones |
---|---|
Guillermo Rafael-Valdivia | 3 |
Brazil T.J. | 3 |
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Publicaciones del autor
New drain current model for MESFET/HEMT devices based on pulsed measurements
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