Michelini F.
46
Coauthors
11
Documentos
Volumen de publicaciones por año
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| Año de publicación | Num. Publicaciones |
|---|---|
| 2009 | 3 |
| 2010 | 3 |
| 2011 | 1 |
| 2012 | 1 |
| 2013 | 1 |
| 2017 | 1 |
| 2018 | 1 |
Publicaciones por áreas de conocimiento
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| Área de conocimiento | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Simulación por computadora | 7 |
| Ciencia de materiales | 7 |
| Ingeniería electrónica | 7 |
| Mecánica cuántica | 3 |
| Física | 3 |
| Semiconductor | 3 |
| Nanostructura | 2 |
Publicaciones por áreas temáticas
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| Área temática | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Física aplicada | 11 |
| Electricidad y electrónica | 5 |
| Química física | 2 |
| Otras ramas de la ingeniería | 2 |
| Física moderna | 1 |
| Física | 1 |
| Química analítica | 1 |
| Ingeniería y operaciones afines | 1 |
Principales fuentes de datos
| Origen | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Scopus | 11 |
| Google Scholar | 0 |
| RRAAE | 0 |
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Coautores destacados por número de publicaciones
| Coautor | Num. Publicaciones |
|---|---|
| Laurent Raymond | 11 |
| Bescond M. | 8 |
| Lannoo M. | 6 |
| Cavassilas N. | 6 |
| Pons N. | 3 |
| Pala M. | 2 |
| Beltako K. | 2 |
| Titov A. | 2 |
| Uspenskii Y.A. | 2 |
| Kulatov E. | 2 |
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Top Keywords
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Publicaciones del autor
Dynamical photo-induced electronic properties of molecular junctions
ArticleAbstract: Nanoscale molecular-electronic devices and machines are emerging as promising functional elements, nPalabras claves:Autores:Beltako K., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F.Fuentes:scopusSingle donor induced negative differential resistance in silicon n-type nanowire metal-oxide-semiconductor transistors
ArticleAbstract: This work presents a theoretical study of the influence of a single donor on the transport propertiePalabras claves:Autores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F.Fuentes:scopus3D real-space quantum transport simulation of nanowire MOS transistors: Influence of the ionized doping impurity
ArticleAbstract: We report a numerical study of both donor- and acceptor doping impurity effects in the quantum transPalabras claves:Doping impurity, Green's function, Nanowire transistors, Quantum transport, SimulationAutores:Bescond M., Lannoo M., Laurent Raymond, Michelini F., Pala M.Fuentes:scopusGap narrowing in charged and doped silicon nanoclusters
ArticleAbstract: The gap narrowing in charged Si35 H36 and n -type doped Si34 D H36 (D=P, As, Sb, S, Se, and Te) clusPalabras claves:Autores:Kulatov E., Laurent Raymond, Michelini F., Titov A., Uspenskii Y.A.Fuentes:scopusOriginal shaped nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with enhanced current characteristics based on three-dimensional modeling
ArticleAbstract: This work presents original nanowire transistor architectures leading to device performance improvemPalabras claves:Autores:Bescond M., Cavassilas N., Laurent Raymond, Michelini F., Pons N.Fuentes:scopus